Ar silīcija nitrīdu savienots silīcija karbīds
Si3N4 savienots SiC keramikas ugunsizturīgs materiāls, tiek sajaukts ar augstas tīrības pakāpes SIC smalko pulveri un silīcija pulveri, pēc slīdošās liešanas kursa, reakcijas saķepināšana 1400–1500 ° C temperatūrā.Saķepināšanas kursa laikā, iepildot krāsnī augstas tīrības slāpekli, silīcijs reaģēs ar slāpekli un radīs Si3N4, tāpēc Si3N4 saistīts SiC materiāls sastāv no silīcija nitrīda (23%) un silīcija karbīda (75%) kā galvenās izejvielas. Sajaukts ar organisko materiālu un veidots ar maisījumu, ekstrūzijas vai lešanas palīdzību, pēc tam tiek izgatavots pēc žāvēšanas un slāpēšanas.
Funkcijas un priekšrocības:
1.Haugsta temperatūras tolerance
2.Augsta siltumvadītspēja un triecienizturība
3.Augsta mehāniskā izturība un nodilumizturība
4.Izcila energoefektivitāte un izturība pret koroziju
Mēs piedāvājam augstas kvalitātes un precīzi apstrādātas NSiC keramikas sastāvdaļas, kuras apstrādā ar
1.Slīdliešana
2.Ekstrudēšana
3.Uni aksiālā presēšana
4.Izostatiskā presēšana
Materiāla datu lapa
| > Ķīmiskais sastāvs | Sic | 75% |
| Si3N4 | ≥23% | |
| Bezmaksas Si | 0% | |
| Tilpuma blīvums (g/cm3) | 2.70～2.80 | |
| Šķietamā porainība (%) | 12～15 | |
| Liekšanas izturība pie 20 ℃ (MPa) | 180～190 | |
| Liekšanas izturība pie 1200 ℃ (MPa) | 207 | |
| Liekšanas izturība pie 1350 ℃ (MPa) | 210 | |
| Spiedes izturība pie 20 ℃ (MPa) | 580 | |
| Siltumvadītspēja pie 1200 ℃ (w/mk) | 19.6 | |
| Termiskās izplešanās koeficients pie 1200 ℃ (x 10-6/C) | 4.70 | |
| Termiskā triecienizturība | Lieliski | |
| Maks.temperatūra (℃) | 1600 | |
WeiTai Energy Technology Co., Ltd. ir vadošais uzlabotas pusvadītāju keramikas piegādātājs un vienīgais ražotājs Ķīnā, kas vienlaikus var nodrošināt augstas tīrības pakāpes silīcija karbīda keramiku (īpaši pārkristalizēto SiC) un CVD SiC pārklājumu.Turklāt mūsu uzņēmums ir apņēmies strādāt arī tādās keramikas jomās kā alumīnija oksīds, alumīnija nitrīds, cirkonija oksīds un silīcija nitrīds utt.
Mūsu galvenie produkti, tostarp: silīcija karbīda kodināšanas disks, silīcija karbīda laivas pakulas, silīcija karbīda vafeļu laiva (Photovoltaic & Semiconductor), silīcija karbīda krāsns caurule, silīcija karbīda konsoles lāpstiņa, silīcija karbīda patronas, silīcija karbīda staru kūlis un CVDC, kā arī SiC. pārklājums.Produkti, ko galvenokārt izmanto pusvadītāju un fotoelementu rūpniecībā, piemēram, kristālu audzēšanas, epitaksijas, kodināšanas, iepakošanas, pārklāšanas un difūzijas krāsnis utt.
Mūsu uzņēmumam ir visas ražošanas iekārtas, piemēram, formēšanas, saķepināšanas, apstrādes, pārklāšanas iekārtas utt., kas var pabeigt visas nepieciešamās produktu ražošanas saites un nodrošināt augstāku produktu kvalitātes kontroli;Optimālais ražošanas plāns var tikt izvēlēts atbilstoši produkta vajadzībām, kā rezultātā tiek samazinātas izmaksas un nodrošināti pircēji ar konkurētspējīgākiem produktiem;Mēs varam elastīgi un efektīvi plānot ražošanu, pamatojoties uz pasūtījumu piegādes prasībām un kopā ar tiešsaistes pasūtījumu vadības sistēmām, nodrošinot klientiem ātrāku un garantētu piegādes laiku.
