MOCVD epitaksiālās daļas

SiC pārklājuma process grafīta bāzes SiC pārklātiem grafīta nesējiem
GaN epitaksija uz silīcija bāzes
Ar pusvadītāju SiC pārklāts monokristāliskā silīcija epitaksiālais disks
Grafīta susceptors ar silīcija karbīda pārklājumu, 8 collu vafeļu nesējs
19 gab. 2 collu grafīta bāzes MOCVD aprīkojuma daļas
Grafīta susceptors ar silīcija karbīda pārklājumu, 6 gabali 6 collu vafeļu nesējs
Silīcija karbīda disks priekš MOCVD
Antioksidācijas augstas tīrības pakāpes SiC pārklājums MOCVD paplāte
36 gabali 4 collu grafīta bāzes MOCVD aprīkojuma daļas
Zila/zaļa LED epitaksija