Apraksts
Mūsu uzņēmums sniedz SiC pārklāšanas procesa pakalpojumus ar CVD metodi uz grafīta, keramikas un citu materiālu virsmām, lai īpašās oglekli un silīciju saturošās gāzes augstā temperatūrā reaģētu, iegūstot augstas tīrības pakāpes SiC molekulas, molekulas, kas nogulsnējas uz pārklājamo materiālu virsmas, veidojot SIC aizsargkārtu.
Galvenās iezīmes
1. Augstas temperatūras oksidācijas izturība:
oksidācijas pretestība joprojām ir ļoti laba, ja temperatūra ir pat 1600 C.
2. Augsta tīrība: izgatavots ar ķīmisku tvaiku nogulsnēšanos augstās temperatūras hlorēšanas apstākļos.
3. Izturība pret eroziju: augsta cietība, kompakta virsma, smalkas daļiņas.
4. Izturība pret koroziju: skābes, sārmi, sāls un organiskie reaģenti.
Galvenās CVD-SIC pārklājuma specifikācijas
| SiC-CVD īpašības | ||
| Kristāla struktūra | FCC β fāze | |
| Blīvums | g/cm³ | 3.21 |
| Cietība | Vickers cietība | 2500 |
| Grauda izmērs | μm | 2~10 |
| Ķīmiskā tīrība | % | 99,99995 |
| Siltuma jauda | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimācijas temperatūra | ℃ | 2700 |
| Uzturēšanās spēks | MPa (RT 4 punkti) | 415 |
| Young's Modulus | Gpa (4 punktu līkums, 1300 ℃) | 430 |
| Termiskā izplešanās (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Siltumvadītspēja | (W/mK) | 300 |
Detalizēti attēli
Kompanijas profils
WeiTai Energy Technology Co., Ltd. ir vadošais uzlabotas pusvadītāju keramikas piegādātājs un vienīgais ražotājs Ķīnā, kas vienlaikus var nodrošināt augstas tīrības pakāpes silīcija karbīda keramiku (īpaši pārkristalizēto SiC) un CVD SiC pārklājumu.Turklāt mūsu uzņēmums ir apņēmies strādāt arī tādās keramikas jomās kā alumīnija oksīds, alumīnija nitrīds, cirkonija oksīds un silīcija nitrīds utt.
Mūsu galvenie produkti, tostarp: silīcija karbīda kodināšanas disks, silīcija karbīda laivas pakulas, silīcija karbīda vafeļu laiva (Photovoltaic & Semiconductor), silīcija karbīda krāsns caurule, silīcija karbīda konsoles lāpstiņa, silīcija karbīda patronas, silīcija karbīda staru kūlis un CVDC, kā arī SiC. pārklājums.Produkti, ko galvenokārt izmanto pusvadītāju un fotoelementu rūpniecībā, piemēram, kristālu audzēšanas, epitaksijas, kodināšanas, iepakošanas, pārklāšanas un difūzijas krāsnis utt.
FAQ
J: Vai jūs esat tirdzniecības uzņēmums vai ražotājs?
A: Mēs esam vairāk nekā 10 gadu rūpnīca ar ISO9001 sertifikātu.
J: Cik ilgs ir jūsu piegādes laiks?
A: Parasti tas ir 3-5 dienas, ja preces ir noliktavā, vai 10-15 dienas, ja preces nav noliktavā, tas ir atbilstoši jūsu daudzumam.
J: Kā es varu iegūt paraugu, lai pārbaudītu jūsu kvalitāti?
A: Pēc cenas apstiprināšanas varat pieprasīt paraugus, lai pārbaudītu mūsu produkta kvalitāti.Ja jums ir nepieciešams tikai tukšs paraugs, lai pārbaudītu dizainu un kvalitāti, mēs jums nodrošināsim paraugu bez maksas, ja vien jūs atļausit ātro kravu.
J: Kādi ir jūsu maksājuma noteikumi?
A: Mēs pieņemam maksājumus ar Western Union, Paypal, Alibaba, T/T, L/C utt. lielapjoma pasūtījumiem, mēs veicam 30% depozītu, atlikumu pirms nosūtīšanas.
Ja jums ir vēl kāds jautājums, lūdzu, sazinieties ar mums, kā norādīts tālāk:
-
Pusvadītāju MOCVD substrāta sildītājs, MOCVD sildītājs...
-
Pusvadītāju epitaksiālais reaktors ar SiC pārklājumu ...
-
Maksimāli palieliniet ienesīgumu un veiktspēju ar daļēji keramikas...
-
Gredzens ar tantala karbīda pārklājumu
-
Semicera silikonizētā grafīta mehānika...
-
Pusvadītāju silīcija karbīda vafeļu laiva var būt...