Grafīta susceptors ar silīcija karbīda pārklājumu, mucas paliktnis

Grafīta susceptors ar silīcija karbīda pārklājumu, mucas paplāte Piedāvātais attēls

Īss apraksts:

Semicera piedāvā plašu susceptoru un grafīta komponentu klāstu, kas paredzēts dažādiem epitaksijas reaktoriem.

Izmantojot stratēģiskas partnerattiecības ar nozares vadošajiem oriģinālo iekārtu ražotājiem, plašas materiālu zināšanas un uzlabotas ražošanas iespējas, Semicera piedāvā pielāgotus dizainus, kas atbilst jūsu lietojumprogrammas īpašajām prasībām.Mūsu apņemšanās sasniegt izcilību nodrošina, ka jūs saņemat optimālus risinājumus savām epitaksijas reaktora vajadzībām.

Nosūtiet mums e-pastu

Produkta informācija

Produktu etiķetes

Apraksts

Mūsu uzņēmums sniedz SiC pārklāšanas procesa pakalpojumus ar CVD metodi uz grafīta, keramikas un citu materiālu virsmām, lai īpašās oglekli un silīciju saturošās gāzes augstā temperatūrā reaģētu, iegūstot augstas tīrības pakāpes SiC molekulas, molekulas, kas nogulsnējas uz pārklājamo materiālu virsmas, veidojot SIC aizsargkārtu.

apmēram (1)

apmēram (2)

Galvenās iezīmes

1. Augstas tīrības pakāpes SiC pārklāts grafīts

2. Superior siltuma pretestība un termiskā viendabīgums

3. Ar smalku SiC kristāla pārklājumu gludai virsmai

4. Augsta izturība pret ķīmisko tīrīšanu

Galvenās CVD-SIC pārklājuma specifikācijas

SiC-CVD īpašības
Kristāla struktūra	FCC β fāze
Blīvums	g/cm³	3.21
Cietība	Vickers cietība	2500
Grauda izmērs	μm	2~10
Ķīmiskā tīrība	%	99,99995
Siltuma jauda	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimācijas temperatūra	℃	2700
Uzturēšanās spēks	MPa (RT 4 punkti)	415
Young's Modulus	Gpa (4 punktu līkums, 1300 ℃)	430
Termiskā izplešanās (CTE)	10-6K-1	4.5
Siltumvadītspēja	(W/mK)	300