Produkta apraksts
Mūsu uzņēmums nodrošinaSiC pārklājumsapstrādes pakalpojumi ar CVD metodi uz grafīta, keramikas un citu materiālu virsmām, lai īpašās oglekli un silīciju saturošās gāzes augstā temperatūrā reaģētu, lai iegūtu augstas tīrības pakāpes SiC molekulas, molekulas, kas nogulsnējas uz pārklājamo materiālu virsmas, veidojotSIC aizsargslānis.
Galvenās iezīmes:
1. Augstas temperatūras oksidācijas izturība:
oksidācijas pretestība joprojām ir ļoti laba, ja temperatūra ir pat 1600 C.
2. Augsta tīrība: izgatavots ar ķīmisku tvaiku nogulsnēšanos augstās temperatūras hlorēšanas apstākļos.
3. Izturība pret eroziju: augsta cietība, kompakta virsma, smalkas daļiņas.
4. Izturība pret koroziju: skābes, sārmi, sāls un organiskie reaģenti.
Galvenās CVD-SIC pārklājuma specifikācijas
| SiC-CVD īpašības | ||
| Kristāla struktūra | FCC β fāze | |
| Blīvums | g/cm³ | 3.21 |
| Cietība | Vickers cietība | 2500 |
| Grauda izmērs | μm | 2~10 |
| Ķīmiskā tīrība | % | 99,99995 |
| Siltuma jauda | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimācijas temperatūra | ℃ | 2700 |
| Uzturēšanās spēks | MPa (RT 4 punkti) | 415 |
| Young's Modulus | Gpa (4 punktu līkums, 1300 ℃) | 430 |
| Termiskā izplešanās (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Siltumvadītspēja | (W/mK) | 300 |
-
Augstas temperatūras ar SiC pārklājumu epitaksiālais reaktors B...
-
Grafīta muca ar SiC pārklājumu epitaksiālai augšanai
-
LMJ microjet lāzertehnoloģijas iekārtas
-
Pusvadītāju epitaksiālais reaktors ar SiC pārklājumu ...
-
Grafīta sildītāja karstā zona/grafīta karstais lauks, apm.
-
Reakcija saķepināta silīcija karbīda vafeļu laiva