Apraksts
MOCVD pamatnes sildītājs, sildelementi priekš MOCVD
Grafīta sildītājs:
Grafīta sildītāja sastāvdaļas tiek izmantotas augstas temperatūras krāsnī ar temperatūru līdz 2200 grādiem vakuuma vidē un 3000 grādu deoksidētās un ievietotās gāzes vidē.
Grafīta sildītāja galvenās iezīmes
1. apkures struktūras viendabīgums.
2. laba elektrovadītspēja un liela elektriskā slodze.
3. izturība pret koroziju.
4. neoksidējamība.
5. augsta ķīmiskā tīrība.
6. augsta mehāniskā izturība.
Priekšrocība ir energoefektīva, augsta vērtība un zema apkope.
Mēs varam ražot antioksidācijas un ilga mūža grafīta tīģeli, grafīta veidni un visas grafīta sildītāja daļas.
Ķīmiskais grafīts
Priekšrocība: izturība pret augstu temperatūru
Pielietojums: MOCVD / vakuuma krāsns / karstā zona
Tilpuma blīvums:1,68-1,91g/cm3
Fleksiālā izturība: 30-46Mpa
Pretestība: 7-12μΩm
Grafīta sildītāja galvenie parametri
| Tehniskā specifikācija | PIA-M3 |
| Tilpuma blīvums (g/cm3) | ≥1,85 |
| Pelnu saturs (PPM) | ≤500 |
| Krasta cietība | ≥45 |
| Īpatnējā pretestība (μ.Ω.m) | ≤12 |
| Fleksiālais spēks (Mpa) | ≥40 |
| Spiedes izturība (Mpa) | ≥70 |
| Maks. Graudu izmērs (μm) | ≤43 |
| Termiskās izplešanās koeficients Mm/°C | ≤4,4*10-6 |
Grafīta sildītājam elektriskajām krāsnīm ir karstumizturības, oksidācijas izturības, labas elektrovadītspējas un labākas mehāniskās intensitātes īpašības. Mēs varam apstrādāt dažāda veida grafīta sildītājus atbilstoši klientu projektiem.
Uzņēmuma profils
WeiTai Energy Technology Co., Ltd. ir vadošais uzlabotas pusvadītāju keramikas piegādātājs un vienīgais ražotājs Ķīnā, kas vienlaikus var nodrošināt augstas tīrības pakāpes silīcija karbīda keramiku (īpaši pārkristalizēto SiC) un CVD SiC pārklājumu. Turklāt mūsu uzņēmums ir apņēmies strādāt arī tādās keramikas jomās kā alumīnija oksīds, alumīnija nitrīds, cirkonija oksīds un silīcija nitrīds utt.
Mūsu galvenie produkti, tostarp: silīcija karbīda kodināšanas disks, silīcija karbīda laivas pakulas, silīcija karbīda vafeļu laiva (Photovoltaic & Semiconductor), silīcija karbīda krāsns caurule, silīcija karbīda konsoles lāpstiņa, silīcija karbīda patronas, silīcija karbīda staru kūlis un CVDC, kā arī SiC. pārklājums. Produkti, ko galvenokārt izmanto pusvadītāju un fotoelementu rūpniecībā, piemēram, kristālu audzēšanas, epitaksijas, kodināšanas, iepakošanas, pārklāšanas un difūzijas krāsnis utt.
Mūsu uzņēmumam ir visas ražošanas iekārtas, piemēram, formēšanas, saķepināšanas, apstrādes, pārklāšanas iekārtas utt., kas var pabeigt visas nepieciešamās produktu ražošanas saites un nodrošināt augstāku produktu kvalitātes kontroli; Optimālais ražošanas plāns var tikt izvēlēts atbilstoši produkta vajadzībām, kā rezultātā tiek samazinātas izmaksas un nodrošināti pircēji ar konkurētspējīgākiem produktiem; Mēs varam elastīgi un efektīvi plānot ražošanu, pamatojoties uz pasūtījumu piegādes prasībām un kopā ar tiešsaistes pasūtījumu vadības sistēmām, nodrošinot klientiem ātrāku un garantētāku piegādes laiku.
