Pusvadītājssilīcija karbīda (SiC) vafeles, šis jaunais materiāls ir pakāpeniski parādījies pēdējos gados ar savām unikālajām fizikālajām un ķīmiskajām īpašībām, kas pusvadītāju nozarei ir piešķīris jaunu vitalitāti.SiC vafeles, izmantojot monokristālus kā izejvielas, tiek rūpīgi audzēti ķīmiskās tvaiku pārklāšanas (CVD) ceļā, un to izskats sniedz iespējas augstas temperatūras, augstfrekvences un lieljaudas elektronisko ierīču ražošanai.
Spēka elektronikas jomāSiC vafelestiek izmantoti augstas efektivitātes jaudas pārveidotāju, lādētāju, barošanas bloku un citu produktu ražošanā. Sakaru jomā to izmanto augstfrekvences un ātrgaitas RF ierīču un optoelektronisko ierīču ražošanai, ieliekot stabilu stūrakmeni informācijas laikmeta lielceļam. Automobiļu elektronikas jomā,SiC vafelesizveidot augstsprieguma, ļoti uzticamas automobiļu elektroniskās ierīces, lai nodrošinātu vadītāja braukšanas drošību.
Ar nepārtrauktu tehnoloģiju attīstību, ražošanas tehnoloģijaSiC vafeleskļūst arvien nobriedušāks, un cena pakāpeniski samazinās. Šim jaunajam materiālam ir liels potenciāls ierīces veiktspējas uzlabošanā, enerģijas patēriņa samazināšanā un produktu konkurētspējas uzlabošanā. Skatoties uz priekšu,SiC vafelesbūs svarīgāka loma pusvadītāju nozarē, ienesot mūsu dzīvē vairāk ērtības un drošības.
Ar nepacietību gaidīsim šo spožo pusvadītāju zvaigzni - SiC plāksnīti, lai zinātnes un tehnoloģiju progresa nākotnē varētu aprakstīt spožāku nodaļu.
Izlikšanas laiks: 27. novembris 2023