Kā viena no galvenajām sastāvdaļāmMOCVD aprīkojums, grafīta pamatne ir substrāta nesējs un sildīšanas korpuss, kas tieši nosaka plēves materiāla viendabīgumu un tīrību, tāpēc tā kvalitāte tieši ietekmē epitaksiālās loksnes sagatavošanu un tajā pašā laikā, palielinoties plēves materiāla skaitam. pielietojumu un darba apstākļu maiņu, tas ir ļoti viegli valkājams, piederot pie palīgmateriāliem.
Lai gan grafītam ir lieliska siltumvadītspēja un stabilitāte, tam ir labas priekšrocības kā pamata sastāvdaļaiMOCVD aprīkojums, bet ražošanas procesā grafīts korozīvu gāzu un metālisko organisko vielu atlikumu dēļ korozīs pulveri, un ievērojami samazināsies grafīta pamatnes kalpošanas laiks.Tajā pašā laikā krītošais grafīta pulveris radīs mikroshēmas piesārņojumu.
Pārklājuma tehnoloģijas parādīšanās var nodrošināt virsmas pulvera fiksāciju, uzlabot siltumvadītspēju un izlīdzināt siltuma sadalījumu, kas ir kļuvusi par galveno tehnoloģiju šīs problēmas risināšanai.Grafīta pamatne iekšāMOCVD aprīkojumslietošanas vidē grafīta pamatnes virsmas pārklājumam jāatbilst šādām īpašībām:
(1) Grafīta pamatni var pilnībā iesaiņot, un blīvums ir labs, pretējā gadījumā grafīta pamatne ir viegli sarūsējusi korozīvā gāzē.
(2) Kombinācijas stiprība ar grafīta pamatni ir augsta, lai nodrošinātu, ka pārklājums nav viegli nokrist pēc vairākiem augstas temperatūras un zemas temperatūras cikliem.
(3) Tam ir laba ķīmiskā stabilitāte, lai izvairītos no pārklājuma sabojāšanās augstā temperatūrā un korozīvā atmosfērā.
SiC ir tādas priekšrocības kā izturība pret koroziju, augsta siltumvadītspēja, termiskā triecienizturība un augsta ķīmiskā stabilitāte, un tas var labi darboties GaN epitaksiālajā atmosfērā.Turklāt SiC termiskās izplešanās koeficients ļoti maz atšķiras no grafīta, tāpēc SiC ir vēlamais materiāls grafīta bāzes virsmas pārklājumam.
Pašlaik parastais SiC galvenokārt ir 3C, 4H un 6H tips, un dažādu kristālu veidu SiC izmantojums ir atšķirīgs.Piemēram, 4H-SiC var ražot lieljaudas ierīces;6H-SiC ir visstabilākais un var ražot fotoelektriskās ierīces;Tā kā 3C-SiC ir līdzīga struktūrai GaN, to var izmantot GaN epitaksiskā slāņa ražošanai un SiC-GaN RF ierīču ražošanai.3C-SiC plaši pazīstams arī kāβ-SiC, un tā svarīga izmantošanaβ-SiC ir kā plēves un pārklājuma materiāls, tātadβ-SiC pašlaik ir galvenais pārklājuma materiāls.
Izlikšanas laiks: Nov-06-2023