Pašlaik SiC pārklājuma sagatavošanas metodes galvenokārt ietver gēla-sola metodi, iegulšanas metodi, otu pārklāšanas metodi, plazmas izsmidzināšanas metodi, ķīmiskās gāzes reakcijas metodi (CVR) un ķīmisko tvaiku pārklāšanas metodi (CVD).
Iegulšanas metode:
Metode ir sava veida augstas temperatūras cietās fāzes saķepināšana, kurā galvenokārt izmanto Si pulvera un C pulvera maisījumu kā iegulšanas pulveri, grafīta matricu ievieto iegulšanas pulverī un augstas temperatūras saķepināšanu veic inertā gāzē. , un visbeidzot uz grafīta matricas virsmas tiek iegūts SiC pārklājums.Process ir vienkāršs, un pārklājuma un pamatnes kombinācija ir laba, taču pārklājuma viendabīgums biezuma virzienā ir vājš, tāpēc ir viegli izveidot vairāk caurumu un izraisīt sliktu oksidācijas izturību.
Pārklāšanas metode ar otu:
Pārklājuma metode ar otu galvenokārt ir šķidrās izejvielas noslaucīšana uz grafīta matricas virsmas un pēc tam izejmateriāla sacietēšana noteiktā temperatūrā, lai sagatavotu pārklājumu.Process ir vienkāršs un izmaksas ir zemas, bet pārklājums, kas sagatavots ar otu pārklājuma metodi, ir vājš kombinācijā ar substrātu, pārklājuma viendabīgums ir vājš, pārklājums ir plāns un oksidācijas izturība ir zema, un ir vajadzīgas citas metodes, lai palīdzētu to.
Plazmas izsmidzināšanas metode:
Plazmas izsmidzināšanas metode galvenokārt ir izkausētu vai daļēji izkusušu izejvielu izsmidzināšana uz grafīta matricas virsmas ar plazmas pistoli un pēc tam sacietēšana un saistīšana, lai izveidotu pārklājumu.Metode ir vienkārši lietojama un var sagatavot salīdzinoši blīvu silīcija karbīda pārklājumu, taču ar šo metodi sagatavotais silīcija karbīda pārklājums bieži ir pārāk vājš un izraisa vāju oksidācijas pretestību, tāpēc to parasti izmanto SiC kompozītmateriāla pārklājuma sagatavošanai, lai uzlabotu pārklājuma kvalitāte.
Gēla-sola metode:
Gēla-sola metode galvenokārt ir viendabīga un caurspīdīga sola šķīduma sagatavošana, kas pārklāj matricas virsmu, žāvēšana želejā un pēc tam saķepināšana, lai iegūtu pārklājumu.Šī metode ir vienkārši lietojama un lēta, taču ražotajam pārklājumam ir daži trūkumi, piemēram, zema termiskā triecienizturība un viegla plaisāšana, tāpēc to nevar plaši izmantot.
Ķīmiskā gāzes reakcija (CVR):
CVR galvenokārt ģenerē SiC pārklājumu, izmantojot Si un SiO2 pulveri, lai augstā temperatūrā radītu SiO tvaiku, un uz C materiāla substrāta virsmas notiek virkne ķīmisku reakciju.Ar šo metodi sagatavotais SiC pārklājums ir cieši saistīts ar pamatni, taču reakcijas temperatūra ir augstāka un izmaksas ir augstākas.
Ķīmiskā tvaiku pārklāšana (CVD):
Pašlaik CVD ir galvenā tehnoloģija SiC pārklājuma sagatavošanai uz pamatnes virsmas.Galvenais process ir virkne fizikālu un ķīmisku reakciju ar gāzes fāzes reaģentu uz substrāta virsmas, un visbeidzot SiC pārklājumu sagatavo, uzklājot uz pamatnes virsmas.Ar CVD tehnoloģiju sagatavotais SiC pārklājums ir cieši saistīts ar pamatnes virsmu, kas var efektīvi uzlabot substrāta materiāla izturību pret oksidēšanu un ablācijas pretestību, taču šīs metodes nogulsnēšanās laiks ir ilgāks, un reakcijas gāzei ir noteikta toksiska iedarbība. gāze.
Izlikšanas laiks: Nov-06-2023