Ilgs kalpošanas laiks ar SiC pārklājumu grafīta nesējs saules vafelei

Īss apraksts:

Silīcija karbīds ir jauna veida keramika ar augstu izmaksu veiktspēju un izcilām materiāla īpašībām. Pateicoties tādām īpašībām kā augsta izturība un cietība, augsta temperatūras izturība, lieliska siltumvadītspēja un izturība pret ķīmisko koroziju, silīcija karbīds var gandrīz izturēt visas ķīmiskās vides. Tāpēc SiC tiek plaši izmantots naftas ieguves, ķīmijas, mašīnbūves un gaisa telpā, pat kodolenerģijai un militārajiem spēkiem ir īpašas prasības attiecībā uz SIC. Daži parastie pielietojumi, kurus mēs varam piedāvāt, ir blīvgredzeni sūknim, vārstam un aizsargbruņām utt.

Nosūtiet mums e-pastu

Produkta informācija

Produktu etiķetes

Priekšrocības

Augstas temperatūras oksidācijas izturība
Lieliska izturība pret koroziju
Laba nodilumizturība
Augsts siltumvadītspējas koeficients
Pašeļļošanās, zems blīvums
Augsta cietība
Pielāgots dizains.

Lietojumprogrammas

-Nodilumizturīgs lauks: bukse, plāksne, smilšu strūklas sprausla, ciklona oderējums, slīpēšanas muca utt.
-Augstas temperatūras lauks: siC plāksne, rūdīšanas krāsns caurule, starojuma caurule, tīģelis, sildelements, veltnis, sija, siltummainis, aukstā gaisa caurule, degļa sprausla, termopāra aizsargcaurule, SiC laiva, krāsns automašīnas konstrukcija, iestatītājs utt.
-Silīcija karbīda pusvadītājs: SiC vafeļu laiva, sic patrona, sic lāpstiņa, sic kasete, sic difūzijas caurule, vafeļu dakša, sūkšanas plāksne, vadotne utt.
-Silīcija karbīda blīvējuma lauks: visa veida blīvgredzens, gultnis, bukse utt.
-Fotoelektriskais lauks: konsoles lāpstiņa, slīpēšanas muca, silīcija karbīda veltnis utt.
- Litija bateriju lauks

VAFELES (1)

VAFELES (2)

SiC fizikālās īpašības

Īpašums	Vērtība	Metode
Blīvums	3,21 g/cc	Izlietne-pludiņš un izmēri
Īpatnējais siltums	0,66 J/g °K	Impulsu lāzera zibspuldze
Liekšanas spēks	450 MPa560 MPa	4 punktu līkums, RT4 punktu līkums, 1300°
Lūzumu stingrība	2,94 MPa m1/2	Mikroievilkums
Cietība	2800	Vicker's, 500g krava
Elastīgā ModulusYoung Modulus	450 GPa430 GPa	4 pt līkums, RT4 pt līkums, 1300 °C
Graudu lielums	2–10 µm	SEM

SiC termiskās īpašības

Siltumvadītspēja	250 W/m °K	Lāzera zibspuldzes metode, RT
Termiskā izplešanās (CTE)	4,5 x 10-6 °K	Telpas temperatūra līdz 950 °C, silīcija dioksīda dilatometrs

Tehniskie parametri

Vienums	Vienība	Dati
Vienums	Vienība	RBSiC(SiSiC)	NBSiC	SSiC	RSiC	OSiC
SiC saturs	%	85	75	99	99.9	≥ 99
Bezmaksas silīcija saturs	%	15	0	0	0	0
Maksimālā apkalpošanas temperatūra	℃	1380. gads	1450. gads	1650. gads	1620. gads	1400
Blīvums	g/cm³	3.02	2,75-2,85	3.08-3.16	2,65-2,75	2,75-2,85
Atvērta porainība	%	0	13-15	0	15-18	7-8
Liekšanas izturība 20℃	Мpa	250	160	380	100	/
Liekšanas izturība 1200 ℃	Мpa	280	180	400	120	/
Elastības modulis 20℃	Gpa	330	580	420	240	/
Elastības modulis 1200℃	Gpa	300	/	/	200	/
Siltumvadītspēja 1200℃	W/mK	45	19.6	100-120	36.6	/
Termiskās izplešanās koeficients	K^-1X10^-6	4.5	4.7	4.1	4.69	/
HV	Kg/m^m2	2115. gads	/	2800	/	/

CVD silīcija karbīda pārklājums uz pārkristalizētu silīcija karbīda keramikas izstrādājumu ārējās virsmas var sasniegt vairāk nekā 99,9999% tīrību, lai apmierinātu klientu vajadzības pusvadītāju nozarē.