Silīcija karbīda SiC pārklājumu epitaksiālā reaktora muca

Īss apraksts:

Semicera piedāvā plašu susceptoru un grafīta komponentu klāstu, kas paredzēts dažādiem epitaksijas reaktoriem.

Izmantojot stratēģiskas partnerattiecības ar nozares vadošajiem oriģinālo iekārtu ražotājiem, plašas materiālu zināšanas un uzlabotas ražošanas iespējas, Semicera piedāvā pielāgotus dizainus, kas atbilst jūsu lietojumprogrammas īpašajām prasībām. Mūsu apņemšanās sasniegt izcilību nodrošina, ka jūs saņemat optimālus risinājumus savām epitaksijas reaktora vajadzībām.

Nosūtiet mums e-pastu

Produkta informācija

Produktu etiķetes

Mūsu uzņēmums nodrošinaSiC pārklājumsapstrādes pakalpojumi uz grafīta, keramikas un citu materiālu virsmām ar CVD metodi, lai īpašās oglekli un silīciju saturošas gāzes varētu reaģēt augstā temperatūrā, iegūstot augstas tīrības pakāpes Sic molekulas, kuras var nogulsnēt uz pārklātu materiālu virsmas, veidojotSiC aizsargslānisepitaksijas stobra tipam hy pnotic.

Galvenās iezīmes:

1. Augstas tīrības pakāpes SiC pārklāts grafīts

2. Superior siltuma pretestība un termiskā viendabīgums

3. LabiSiC kristāla pārklājumsgludai virsmai

4. Augsta izturība pret ķīmisko tīrīšanu

Galvenās specifikācijasCVD-SIC pārklājums

SiC-CVD īpašības
Kristāla struktūra	FCC β fāze
Blīvums	g/cm³	3.21
Cietība	Vickers cietība	2500
Graudu lielums	μm	2~10
Ķīmiskā tīrība	%	99,99995
Siltuma jauda	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimācijas temperatūra	℃	2700
Uzturēšanās spēks	MPa (RT 4 punkti)	415
Young's Modulus	Gpa (4 punktu līkums, 1300 ℃)	430
Termiskā izplešanās (CTE)	10-6K-1	4.5
Siltumvadītspēja	(W/mK)	300