Mēs varam nodrošināt stabilu un uzticamusilīcija karbīda kristāla laivas, silīcija karbīda lāpstiņas, silīcija karbīda krāsns caurules4 collu līdz 6 collu pusvadītāju vafeļu nozarei.Tīrība var sasniegt 99,9%, nepiesārņojot vafeles.
Silīcija karbīda krāsns caurulegalvenokārt tiek izmantots: 4-6 collu silīcija vafele LTO = silīcija dioksīds, SIPOS = oksi-polisilīcija, SI3N4 = silīcija nitrīds, PSG = fosfosilīcija stikls, POLY = polisilīcija plēves augšana.Tā ir izejmateriāla gāze (vai šķidrā avota gazifikācija), ko aktivizē siltumenerģija, lai radītu cietu plēvi uz pamatnes virsmas.Zemspiediena ķīmisko tvaiku nogulsnēšanos veic zemā spiedienā, jo zemā spiediena dēļ gāzes molekulu vidējais brīvais ceļš ir liels, lai audzētās plēves vienmērīgums būtu labs, un substrātu var novietot vertikāli un daudzumu. ielāde ir liela, īpaši piemērota liela mēroga integrālajām shēmām, diskrētām ierīcēm, spēka elektronikai, optoelektroniskajām ierīcēm un optiskajām šķiedru un citām rūpnieciskās ražošanas speciālajām iekārtām.
Semicera Energy Technology Co., Ltd ir profesionāla silīcija karbīda keramikas izstrādājumu izpēte, izstrāde, ražošana un pārdošana.Kopš dibināšanas 2016. gadā Semicera Energy ir apguvis izostatiskās presēšanas formēšanas procesu, tūkstoš presformēšanas procesu, šuvju formēšanas procesu un vakuuma presēšanas formēšanas procesu.Mūsu uzņēmums izmanto 6 silīcija karbīda keramikas saķepināšanas ražošanas līnijas, ir 8 CNC, 6 precīzas slīpmašīnas, var arī nodrošināt jūs ar silīcija karbīda keramikas saķepināšanas izstrādājumiem, kā arī var nodrošināt silīcija karbīda keramiku, alumīnija oksīda keramiku, alumīnija nitrīda keramiku, cirkonija keramikas apstrādes pakalpojumus. .
-
Grafīta sildītāja karstā zona/grafīta karstais lauks, apm.
-
Saķepināta silīcija karbīda keramikas oderējums bez...
-
Semiceras pielāgots izostatiskā grafīta sastāvs...
-
Pielāgots augstas temperatūras izturīgs C/C kompozītmateriāls...
-
Pusvadītāju cirkonija keramikas piederumi
-
Augstas tīrības pakāpes SiC nesējs/susceptors