Ievads CVD TaC pārklājumā:
CVD TaC pārklājums ir tehnoloģija, kas izmanto ķīmisku tvaiku pārklāšanu, lai uz substrāta virsmas uzklātu tantala karbīda (TaC) pārklājumu. Tantala karbīds ir augstas veiktspējas keramikas materiāls ar izcilām mehāniskām un ķīmiskām īpašībām. CVD process ģenerē vienotu TaC plēvi uz substrāta virsmas, izmantojot gāzes reakciju.
Galvenās iezīmes:
Lieliska cietība un nodilumizturība: Tantala karbīdam ir ārkārtīgi augsta cietība, un CVD TaC pārklājums var ievērojami uzlabot pamatnes nodilumizturību. Tas padara pārklājumu ideāli piemērotu lietošanai augsta nodiluma vidēs, piemēram, griezējinstrumentos un veidnēs.
Augstas temperatūras stabilitāte: TaC pārklājumi aizsargā kritiskās krāsns un reaktora sastāvdaļas temperatūrā līdz 2200°C, demonstrējot labu stabilitāti. Tas saglabā ķīmisko un mehānisko stabilitāti ekstremālos temperatūras apstākļos, padarot to piemērotu augstas temperatūras apstrādei un lietošanai augstas temperatūras vidē.
Lieliska ķīmiskā stabilitāte: Tantala karbīdam ir spēcīga izturība pret koroziju pret lielāko daļu skābju un sārmu, un CVD TaC pārklājums var efektīvi novērst substrāta bojājumus korozīvā vidē.
Augsta kušanas temperatūra: Tantala karbīdam ir augsts kušanas punkts (aptuveni 3880°C), kas ļauj CVD TaC pārklājumu izmantot ārkārtīgi augstas temperatūras apstākļos, nekusot vai nesadaloties.
Lieliska siltumvadītspēja: TaC pārklājumam ir augsta siltumvadītspēja, kas palīdz efektīvi izkliedēt siltumu augstas temperatūras procesos un novērst lokālu pārkaršanu.
Iespējamie pielietojumi:
• Gallija nitrīda (GaN) un silīcija karbīda epitaksiālā CVD reaktora sastāvdaļas, tostarp vafeļu nesēji, satelītantenas, dušas galviņas, griesti un susceptori.
• Silīcija karbīda, gallija nitrīda un alumīnija nitrīda (AlN) kristālu augšanas komponenti, tostarp tīģeļi, sēklu turētāji, vadošie gredzeni un filtri
• Rūpnieciskās sastāvdaļas, tostarp pretestības sildelementi, iesmidzināšanas sprauslas, maskēšanas gredzeni un cietlodēšanas mehānismi
Lietojumprogrammas funkcijas:
• Stabila temperatūra virs 2000°C, ļaujot darboties ekstremālās temperatūrās
• Izturīgs pret ūdeņradi (Hz), amonjaku (NH3), monosilānu (SiH4) un silīciju (Si), nodrošinot aizsardzību skarbā ķīmiskā vidē
• Tā termiskā triecienizturība nodrošina ātrākus darbības ciklus
• Grafītam ir spēcīga adhēzija, kas nodrošina ilgu kalpošanas laiku un pārklājuma atslāņošanos.
• Īpaši augsta tīrība, lai novērstu nevajadzīgus piemaisījumus vai piesārņotājus
• Konformāls pārklājuma pārklājums līdz šaurām izmēru pielaidēm
Tehniskās specifikācijas:
Blīvu tantala karbīda pārklājumu sagatavošana ar CVD：
TAC pārklājums ar augstu kristāliskumu un izcilu viendabīgumu:
CVD TAC COATING Technical Parameters_Semicera:
Iepriekš minētās ir tipiskas vērtības.
