Apraksts
Semicera GaN Epitaxy Carrier ir rūpīgi izstrādāts, lai atbilstu stingrām mūsdienu pusvadītāju ražošanas prasībām. Ar augstas kvalitātes materiālu un precīzas inženierijas pamatiem šis turētājs izceļas ar izcilu veiktspēju un uzticamību. Ķīmiskās tvaiku pārklāšanas (CVD) silīcija karbīda (SiC) pārklājuma integrācija nodrošina izcilu izturību, termisko efektivitāti un aizsardzību, padarot to par iecienītu izvēli nozares profesionāļiem.
Galvenās iezīmes
1. Izcila izturībaCVD SiC pārklājums uz GaN Epitaxy Carrier uzlabo tā izturību pret nodilumu, ievērojami pagarinot tā ekspluatācijas laiku. Šis robustums nodrošina nemainīgu veiktspēju pat prasīgās ražošanas vidēs, samazinot vajadzību pēc biežas nomaiņas un apkopes.
2. Izcila termiskā efektivitāteSiltuma vadība ir kritiska pusvadītāju ražošanā. GaN Epitaxy Carrier uzlabotās termiskās īpašības veicina efektīvu siltuma izkliedi, saglabājot optimālus temperatūras apstākļus epitaksiālās augšanas procesa laikā. Šī efektivitāte ne tikai uzlabo pusvadītāju plāksnīšu kvalitāti, bet arī uzlabo kopējo ražošanas efektivitāti.
3. Aizsardzības spējasSiC pārklājums nodrošina spēcīgu aizsardzību pret ķīmisko koroziju un termiskiem triecieniem. Tas nodrošina nesēja integritātes saglabāšanu visā ražošanas procesā, aizsargājot smalkos pusvadītāju materiālus un uzlabojot ražošanas procesa kopējo ražu un uzticamību.
Tehniskās specifikācijas:
Pieteikumi:
Semicorex GaN Epitaxy Carrier ir ideāli piemērots dažādiem pusvadītāju ražošanas procesiem, tostarp:
• GaN epitaksiālā augšana
• Augstas temperatūras pusvadītāju procesi
• Ķīmiskā tvaiku pārklāšana (CVD)
• Citi uzlaboti pusvadītāju ražošanas lietojumi
