-
Pusvadītāju ražošanas process — Etch tehnoloģija
Lai plāksni pārvērstu par pusvadītāju, ir nepieciešami simtiem procesu. Viens no svarīgākajiem procesiem ir kodināšana - tas ir, smalku shēmu griešana uz vafeles. Kodināšanas procesa panākumi ir atkarīgi no dažādu mainīgo pārvaldīšanas noteiktā izplatīšanas diapazonā, un katra kodināšana...Lasīt vairāk -
Ideāls materiāls fokusa gredzeniem plazmas kodināšanas iekārtās: silīcija karbīds (SiC)
Plazmas kodināšanas iekārtās keramikas komponentiem, tostarp fokusa gredzenam, ir izšķiroša nozīme. Fokusa gredzens, kas novietots ap plāksni un ir tiešā saskarē ar to, ir būtisks, lai fokusētu plazmu uz plāksni, pieliekot gredzenam spriegumu. Tas uzlabo un...Lasīt vairāk -
Front End of Line (FEOL): pamatu likšana
Ražošanas līnijas priekšpuse ir kā mājas pamatu ielikšana un sienu celtniecība. Pusvadītāju ražošanā šis posms ietver pamatstruktūru un tranzistoru izveidi uz silīcija plāksnes. FEOL galvenie soļi: ...Lasīt vairāk -
Silīcija karbīda monokristālu apstrādes ietekme uz vafeļu virsmas kvalitāti
Pusvadītāju jaudas ierīces ieņem galveno vietu jaudas elektroniskajās sistēmās, jo īpaši saistībā ar straujo tehnoloģiju attīstību, piemēram, mākslīgais intelekts, 5G sakari un jauni enerģijas transportlīdzekļi, veiktspējas prasības tām ir bijušas ...Lasīt vairāk -
Galvenais pamatmateriāls SiC augšanai: tantala karbīda pārklājums
Pašlaik trešās paaudzes pusvadītājos dominē silīcija karbīds. Ierīču izmaksu struktūrā substrāts veido 47%, bet epitaksija - 23%. Abi kopā veido aptuveni 70%, kas ir vissvarīgākā silīcija karbīda ierīču ražošanas sastāvdaļa...Lasīt vairāk -
Kā ar tantala karbīdu pārklāti izstrādājumi uzlabo materiālu izturību pret koroziju?
Tantala karbīda pārklājums ir plaši izmantota virsmas apstrādes tehnoloģija, kas var būtiski uzlabot materiālu izturību pret koroziju. Tantala karbīda pārklājumu var piestiprināt pie pamatnes virsmas, izmantojot dažādas sagatavošanas metodes, piemēram, ķīmisko tvaiku pārklāšanu, fizikālo...Lasīt vairāk -
Vakar Zinātnes un tehnoloģiju inovāciju padome nāca klajā ar paziņojumu, ka Huazhuo Precision Technology pārtrauc savu IPO!
Tikko paziņoja par pirmās 8 collu SIC lāzera atlaidināšanas iekārtas piegādi Ķīnā, kas arī ir Tsinghua tehnoloģija; Kāpēc viņi paši izņēma materiālus? Tikai daži vārdi: Pirmkārt, produkti ir pārāk dažādi! No pirmā acu uzmetiena es nezinu, ko viņi dara. Šobrīd H...Lasīt vairāk -
CVD silīcija karbīda pārklājums-2
CVD silīcija karbīda pārklājums 1. Kāpēc ir silīcija karbīda pārklājums Epitaksiālais slānis ir specifiska monokristāla plāna plēve, kas epitaksiskā procesā izaudzēta uz plāksnītes bāzes. Substrāta plāksnīte un epitaksiālā plānā plēve kopā tiek sauktas par epitaksiālajām plāksnēm. To vidū ir...Lasīt vairāk -
SIC pārklājuma sagatavošanas process
Pašlaik SiC pārklājuma sagatavošanas metodes galvenokārt ietver gēla-sola metodi, iegulšanas metodi, otu pārklājuma metodi, plazmas izsmidzināšanas metodi, ķīmisko tvaiku reakcijas metodi (CVR) un ķīmisko tvaiku pārklāšanas metodi (CVD). Iegulšanas metodeŠī metode ir sava veida augstas temperatūras cietfāzes ...Lasīt vairāk -
CVD silīcija karbīda pārklājums-1
Kas ir CVD SiC Ķīmiskā tvaiku pārklāšana (CVD) ir vakuuma pārklāšanas process, ko izmanto augstas tīrības cieto materiālu ražošanai. Šo procesu bieži izmanto pusvadītāju ražošanas jomā, lai veidotu plānas plēves uz vafeļu virsmas. Pagatavojot SiC ar CVD, substrāts tiek eksp...Lasīt vairāk -
SiC kristāla dislokācijas struktūras analīze ar staru izsekošanas simulāciju, ko palīdz rentgenstaru topoloģiskā attēlveidošana
Pētījuma priekšvēsture Silīcija karbīda (SiC) pielietojuma nozīme: kā platas joslas pusvadītāju materiāls silīcija karbīds ir piesaistījis lielu uzmanību tā lielisko elektrisko īpašību dēļ (piemēram, lielāka joslas sprauga, lielāks elektronu piesātinājuma ātrums un siltumvadītspēja). Šie rekvizīti...Lasīt vairāk -
Sēklu kristālu sagatavošanas process SiC monokristālu audzēšanā 3
Augšanas pārbaude Silīcija karbīda (SiC) sēklu kristāli tika sagatavoti, ievērojot izklāstīto procesu, un apstiprināti, izmantojot SiC kristālu augšanu. Izmantotā augšanas platforma bija pašu izstrādāta SiC indukcijas augšanas krāsns ar augšanas temperatūru 2200 ℃, augšanas spiedienu 200 Pa un augšanas...Lasīt vairāk