-
Uzziniet par caur silīciju, izmantojot (TSV) un caur stiklu caur (TGV) tehnoloģiju vienā rakstā
Iepakošanas tehnoloģija ir viens no svarīgākajiem procesiem pusvadītāju rūpniecībā. Atbilstoši iepakojuma formai to var iedalīt kontaktligzdu iepakojumā, virsmas montāžas iepakojumā, BGA iepakojumā, mikroshēmas izmēra paketē (CSP), viena mikroshēmas moduļa paketē (SCM, sprauga starp vadiem uz ...Lasīt vairāk -
Mikroshēmu ražošana: kodināšanas iekārtas un process
Pusvadītāju ražošanas procesā kodināšanas tehnoloģija ir kritisks process, ko izmanto, lai precīzi noņemtu nevēlamos materiālus no pamatnes, veidojot sarežģītus ķēdes modeļus. Šis raksts detalizēti iepazīstinās ar divām galvenajām kodināšanas tehnoloģijām - kapacitatīvi savienotu plazmu...Lasīt vairāk -
Detalizēts silīcija vafeļu pusvadītāju ražošanas process
Vispirms ievietojiet polikristālisko silīciju un piedevas kvarca tīģelī monokristālu krāsnī, paaugstiniet temperatūru līdz vairāk nekā 1000 grādiem un iegūstiet polikristālisko silīciju izkausētā stāvoklī. Silīcija stieņa augšana ir process, kurā polikristāliskā silīcijs tiek pārveidots par monokristālu...Lasīt vairāk -
Silīcija karbīda laivas atbalsta priekšrocības salīdzinājumā ar kvarca laivas balstu
Silīcija karbīda laivas balsta un kvarca laivas atbalsta galvenās funkcijas ir vienādas. Silīcija karbīda laivas balstam ir lieliska veiktspēja, bet augsta cena. Tā ir alternatīva saikne ar kvarca laivas atbalstu akumulatoru apstrādes iekārtās ar skarbiem darba apstākļiem (piemēram,...Lasīt vairāk -
Silīcija karbīda keramikas pielietojums pusvadītāju laukā
Pusvadītāji: pusvadītāju rūpniecība ievēro rūpniecisko likumu “viena tehnoloģiju paaudze, viena procesa paaudze un viena iekārtu paaudze”, un pusvadītāju iekārtu jaunināšana un atkārtošana lielā mērā ir atkarīga no precizitātes tehnoloģiskā izrāviena ...Lasīt vairāk -
Ievads pusvadītāju klases stiklveida oglekļa pārklājumā
I. Ievads stiklveida oglekļa struktūrā Raksturojums: (1) Stiklveida oglekļa virsma ir gluda un tai ir stiklveida struktūra; (2) Stikla ogleklim ir augsta cietība un maz putekļu veidošanās; (3) Stikla ogleklim ir liela ID/IG vērtība un ļoti zema grafitizācijas pakāpe, un tā siltumizolācija...Lasīt vairāk -
Lietas par silīcija karbīda ierīču ražošanu (2. daļa)
Jonu implantācija ir metode, kā pusvadītāju materiālos pievienot noteiktu daudzumu un veida piemaisījumus, lai mainītu to elektriskās īpašības. Piemaisījumu daudzumu un sadalījumu var precīzi kontrolēt. 1. daļa Kāpēc izmantot jonu implantācijas procesu Jaudas pusvadītāju ražošanā...Lasīt vairāk -
SiC silīcija karbīda ierīču ražošanas process (1)
Kā zināms, pusvadītāju jomā vienkristāla silīcijs (Si) ir pasaulē visplašāk izmantotais un lielākā tilpuma pusvadītāju pamatmateriāls. Pašlaik vairāk nekā 90% pusvadītāju izstrādājumu tiek ražoti, izmantojot materiālus uz silīcija bāzes. Pieaugot pieprasījumam pēc lieljaudas...Lasīt vairāk -
Silīcija karbīda keramikas tehnoloģija un tās pielietojums fotoelektriskajā jomā
I. Silīcija karbīda struktūra un īpašības Silīcija karbīds SiC satur silīciju un oglekli. Tas ir tipisks polimorfs savienojums, kas galvenokārt ietver α-SiC (augstas temperatūras stabils tips) un β-SiC (zemas temperatūras stabils tips). Ir vairāk nekā 200 polimorfu, starp kuriem ir 3C-SiC no β-SiC un 2H-...Lasīt vairāk -
Cietā filca daudzpusīgi pielietojumi progresīvos materiālos
Cietais filcs kļūst par būtisku materiālu dažādos rūpnieciskos lietojumos, jo īpaši C/C kompozītmateriālu un augstas veiktspējas komponentu ražošanā. Kā daudzu ražotāju izvēles produkts Semicera lepojas ar to, ka piedāvā augstākās kvalitātes stingru filcu, kas atbilst augstajām prasībām...Lasīt vairāk -
C/C kompozītmateriālu pielietojumu un priekšrocību izpēte
C/C kompozītmateriāli, kas pazīstami arī kā Carbon Carbon Composites, iegūst plašu uzmanību dažādās augsto tehnoloģiju nozarēs, pateicoties to unikālajai vieglā svara un izturības pret ekstremālām temperatūrām kombinācijai. Šie uzlabotie materiāli ir izgatavoti, pastiprinot oglekļa matricu ar...Lasīt vairāk -
Kas ir vafeļu airis
Pusvadītāju ražošanas jomā vafeļu lāpstiņai ir galvenā loma, nodrošinot efektīvu un precīzu vafeļu apstrādi dažādu procesu laikā. To galvenokārt izmanto polikristāliskā silīcija plātņu vai monokristāliskā silīcija plātņu (difūzijas) pārklāšanas procesā difūzijas...Lasīt vairāk