Augstas temperatūras izturīga silīcija karbīda robotsvira

Augstas temperatūras noturība Silīcija karbīda robotstrāde Featured attēls

Īss apraksts:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. ir vadošais piegādātājs, kas specializējas vafeļu un modernu pusvadītāju palīgmateriālu ražošanā.Mēs esam apņēmušies nodrošināt augstas kvalitātes, uzticamus un novatoriskus produktus pusvadītāju ražošanā,fotoelementu rūpniecībaun citās saistītās jomās.

Mūsu produktu līnijā ietilpst SiC/TaC pārklāti grafīta izstrādājumi un keramikas izstrādājumi, kas ietver dažādus materiālus, piemēram, silīcija karbīdu, silīcija nitrīdu un alumīnija oksīdu utt.

Kā uzticams piegādātājs mēs saprotam palīgmateriālu nozīmi ražošanas procesā, un esam apņēmušies piegādāt produktus, kas atbilst visaugstākajiem kvalitātes standartiem, lai apmierinātu mūsu klientu vajadzības.

Nosūtiet mums e-pastu

Produkta informācija

Produktu etiķetes

Silīcija karbīds ir jauna veida keramika ar augstu izmaksu veiktspēju un izcilām materiāla īpašībām.Pateicoties tādām īpašībām kā augsta izturība un cietība, augsta temperatūras izturība, lieliska siltumvadītspēja un izturība pret ķīmisko koroziju, silīcija karbīds var gandrīz izturēt visas ķīmiskās vides.Tāpēc SiC tiek plaši izmantots naftas ieguves, ķīmijas, mašīnbūves un gaisa telpā, pat kodolenerģijai un militārajiem spēkiem ir īpašas prasības attiecībā uz SIC.Daži parastie pielietojumi, kurus mēs varam piedāvāt, ir blīvgredzeni sūknim, vārstam un aizsargbruņām utt.

Mēs varam izstrādāt un izgatavot atbilstoši jūsu konkrētajiem izmēriem ar labu kvalitāti un saprātīgu piegādes laiku.

Raksturojums un priekšrocības

1. Precīzi izmēri un termiskā stabilitāte

2.Augsta īpatnējā stingrība un lieliska termiskā vienmērība, ilgstošai lietošanai nav viegli saliekt deformāciju;

3. Tam ir gluda virsma un laba nodilumizturība, tādējādi droši apstrādājot mikroshēmu bez daļiņu piesārņojuma.

4.Silīcija karbīda pretestība 106-108Ω, nemagnētiska, saskaņā ar anti-ESD specifikācijas prasībām;Tas var novērst statiskās elektrības uzkrāšanos uz mikroshēmas virsmas

5.Laba siltumvadītspēja, zems izplešanās koeficients.