Augstas kvalitātes tantala karbīda (TaC) pārklājums

Īss apraksts:

Semicera TaC pārklājums nodrošina izcilu stabilitāti augstā temperatūrā, pārspējot SiC, izturot līdz pat 2300 ℃. Ideāli piemērots kosmosa un trešās paaudzes pusvadītāju monokristālu audzēšanai, tas nodrošina koroziju, oksidāciju un nodilumizturību. Izvēlieties Semicera augstākā līmeņa rūpnīcas ražošanai un kvalitātei.

Nosūtiet mums e-pastu

Produkta informācija

Produktu etiķetes

Semicera nodrošina specializētus tantala karbīda (TaC) pārklājumus dažādām sastāvdaļām un nesējiem.Semicera vadošais pārklājuma process ļauj tantala karbīda (TaC) pārklājumiem sasniegt augstu tīrību, augstas temperatūras stabilitāti un augstu ķīmisko toleranci, uzlabojot SIC/GAN kristālu un EPI slāņu produktu kvalitāti (TaC susceptors ar grafīta pārklājumu) un pagarinot galveno reaktora sastāvdaļu kalpošanas laiku. Tantala karbīda TaC pārklājuma izmantošana ir paredzēta, lai atrisinātu malu problēmu un uzlabotu kristālu augšanas kvalitāti, un Semicera ir atklājusi tantala karbīda pārklājuma tehnoloģiju (CVD), sasniedzot starptautisku progresīvu līmeni.

Pēc gadiem ilgas attīstības Semicera ir iekarojis tehnoloģijuCVD TaCar kopīgiem pētniecības un attīstības nodaļas pūliņiem. SiC vafeļu augšanas procesā ir viegli rasties defekti, bet pēc lietošanasTaC, atšķirība ir būtiska. Zemāk ir salīdzinājums vafeles ar un bez TaC, kā arī Semicera daļas monokristālu audzēšanai

TaC pārklāta daļa monokristālu audzēšanai

Pretnodiluma tantala karbīda pārklājums_ Aizsargā aprīkojumu no nodiluma un korozijas Piedāvātais attēls

Grafīta gredzens ar TaC pārklājumu

ar un bez TaC

Pēc TaC lietošanas (pa labi)

Turklāt Semicera TaC pārklājuma produktu kalpošanas laiks ir garāks un izturīgāks pret augstu temperatūru nekā SiC pārklājums. Pēc ilgāka laika laboratorijas mērījumu datiem mūsu TaC var ilgstoši strādāt pie maksimāli 2300 grādiem pēc Celsija. Tālāk ir minēti daži no mūsu paraugiem: