Semicera nodrošina specializētus tantala karbīda (TaC) pārklājumus dažādām sastāvdaļām un nesējiem.Semicera vadošais pārklājuma process ļauj tantala karbīda (TaC) pārklājumiem sasniegt augstu tīrību, augstas temperatūras stabilitāti un augstu ķīmisko toleranci, uzlabojot SIC/GAN kristālu un EPI slāņu produktu kvalitāti (TaC susceptors ar grafīta pārklājumu) un pagarinot galveno reaktora sastāvdaļu kalpošanas laiku. Tantala karbīda TaC pārklājuma izmantošana ir paredzēta, lai atrisinātu malu problēmu un uzlabotu kristālu augšanas kvalitāti, un Semicera ir atklājusi tantala karbīda pārklājuma tehnoloģiju (CVD), sasniedzot starptautisku progresīvu līmeni.
Pēc gadiem ilgas attīstības Semicera ir iekarojis tehnoloģijuCVD TaCar kopīgiem pētniecības un attīstības nodaļas pūliņiem. SiC vafeļu augšanas procesā ir viegli rasties defekti, bet pēc lietošanasTaC, atšķirība ir būtiska. Zemāk ir salīdzinājums vafeles ar un bez TaC, kā arī Semicera daļas monokristālu audzēšanai
ar un bez TaC
Pēc TaC lietošanas (pa labi)
Turklāt Semicera TaC pārklājuma produktu kalpošanas laiks ir garāks un izturīgāks pret augstu temperatūru nekā SiC pārklājums. Pēc ilgāka laika laboratorijas mērījumu datiem mūsu TaC var ilgstoši strādāt pie maksimāli 2300 grādiem pēc Celsija. Tālāk ir minēti daži no mūsu paraugiem:
(a) SiC monokristālu stieņu audzēšanas ierīces shematiskā diagramma ar PVT metodi (b) Augšējais TaC pārklāts sēklu kronšteins (ieskaitot SiC sēklas) (c) Ar TAC pārklāts grafīta vadotnes gredzens
-
Augstas tīrības pakāpes silīcija karbīda kristāla laivu pārvadāšanai...
-
Silīcija karbīda (SiC) vafeļu susceptori MOCVD
-
SiC pārklājuma silīcija epitaksiskā nogulsnēšanās stieņos...
-
SiC pārklājumu mucas reaktors šķidrās fāzes epitaksijai
-
SiC pārklājuma grafīta vafeļu uztvērējs
-
Pusvadītāju otrās puses daļas epitaksiālajam