Augstas tīrības pakāpes SiC nesējs/susceptors

Augstas tīrības pakāpes SiC nesēja/susceptora attēls

Īss apraksts:

Silīcija karbīda gultņu disks ir pazīstams arī kā SIC paplāte, silīcija karbīda kodināšanas disks, ICP kodināšanas disks. Silīcija karbīda paplāte LED kodināšanai (SiC paplāte) φ600mm ir īpašs piederums dziļai silīcija kodināšanai (ICP kodināšanas iekārta).

Nosūtiet mums e-pastu

Produkta informācija

Produktu etiķetes

Apraksts

Silīcija karbīda keramikai ir lieliskas mehāniskās īpašības istabas temperatūrā, piemēram, augsta izturība, augsta cietība, augsts elastības modulis uc apstrādes veiktspēju.
Tie ir īpaši piemēroti precīzijas keramikas detaļu ražošanai integrālās shēmas iekārtām, piemēram, litogrāfijas iekārtām, ko galvenokārt izmanto SiC nesēja/susceptora, SiC vafeļu laivas, sūkšanas diska, ūdens dzesēšanas plāksnes, precizitātes mērīšanas atstarotāja, režģa un citu keramikas konstrukcijas daļu ražošanai.

pārvadātājs2

pārvadātājs3

pārvadātājs4

Priekšrocības

Augstas temperatūras izturība: normāla lietošana pie 1800 ℃
Augsta siltumvadītspēja: līdzvērtīga grafīta materiālam
Augsta cietība: cietība ir otrā pēc dimanta, bora nitrīda
Izturība pret koroziju: stiprai skābei un sārmam nav korozijas, izturība pret koroziju ir labāka nekā volframa karbīdam un alumīnija oksīdam
Viegls svars: zems blīvums, tuvu alumīnijam
Bez deformācijas: zems termiskās izplešanās koeficients
Termiskā trieciena izturība: tā var izturēt asas temperatūras izmaiņas, izturēt termisko šoku un tai ir stabila veiktspēja
Silīcija karbīda nesējus, piemēram, sic kodināšanas nesēju, ICP kodināšanas susceptoru, plaši izmanto pusvadītāju CVD, vakuuma izsmidzināšanā utt. Mēs varam nodrošināt klientiem pielāgotus silīcija un silīcija karbīda materiālu vafeļu nesējus, lai tie atbilstu dažādiem lietojumiem.

Priekšrocības

Īpašums	Vērtība	Metode
Blīvums	3,21 g/cc	Izlietne-pludiņš un izmēri
Īpatnējais siltums	0,66 J/g °K	Impulsu lāzera zibspuldze
Liekšanas spēks	450 MPa560 MPa	4 punktu līkums, RT4 punktu līkums, 1300°
Lūzumu stingrība	2,94 MPa m1/2	Mikroievilkums
Cietība	2800	Vicker's, 500g krava
Elastīgā ModulusYoung Modulus	450 GPa430 GPa	4 pt līkums, RT4 pt līkums, 1300 °C
Graudu lielums	2–10 µm	SEM

Uzņēmuma profils

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. ir vadošais uzlabotas pusvadītāju keramikas piegādātājs un vienīgais ražotājs Ķīnā, kas vienlaikus var nodrošināt augstas tīrības pakāpes silīcija karbīda keramiku (īpaši pārkristalizēto SiC) un CVD SiC pārklājumu. Turklāt mūsu uzņēmums ir apņēmies strādāt arī tādās keramikas jomās kā alumīnija oksīds, alumīnija nitrīds, cirkonija oksīds un silīcija nitrīds utt.

Mūsu galvenie produkti, tostarp: silīcija karbīda kodināšanas disks, silīcija karbīda laivas pakulas, silīcija karbīda vafeļu laiva (Photovoltaic & Semiconductor), silīcija karbīda krāsns caurule, silīcija karbīda konsoles lāpstiņa, silīcija karbīda patronas, silīcija karbīda staru kūlis un CVDC, kā arī SiC. pārklājums. Produkti, ko galvenokārt izmanto pusvadītāju un fotoelementu rūpniecībā, piemēram, kristālu audzēšanas, epitaksijas, kodināšanas, iepakošanas, pārklāšanas un difūzijas krāsnis utt.
apmēram (2)